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ZXMN6A09GTA

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.92277 9.92277
10+ 8.85806 88.58067
100+ 6.90465 690.46570
500+ 5.70392 2851.96450
1000+ 4.50305 4503.05600
2000+ 4.20283 8405.67600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.92277
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.92
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 供应商设备包装 SOT-223-3
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 最大功耗 2W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.4A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 8.2A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24.2 nC@5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1407 pF@40 V
  • 色彩/颜色 -

ZXMN6A09GTA 产品详情

ZXMN6A09GTA所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ZXMN6A09GTA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXMN6A09GTA价格参考¥9.922773,你可以下载 ZXMN6A09GTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXMN6A09GTA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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