9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A09GTA,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A09GTA参考价格为1.37000美元。Diodes Incorporated ZXMN6A09GTA封装/规格:MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223。您可以下载ZXMN6A09GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN6A09DN8TA是MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC,包括ZXMN6A系列,它们设计用于切割胶带(CT)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于74 mg,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装外壳设计用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,器件提供2信道数量的信道,器件具有供应商器件封装的8-SO,配置为双双漏极,FET类型为2 N信道(双),功率最大值为1.25W,晶体管类型为2 N沟道,漏极至源极电压Vdss为60V,输入电容Cis-Vds为1407pF@40V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为4.3A,最大Id Vgs为40mOhm@8.2A,10V,Vgs最大Id为3V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为24.2nC@5V,Pd功耗为2.1W,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,下降时间为4.6ns,上升时间为5ns,Vgs栅源电压为20V,Id连续漏电流为5.1A,Vds漏源击穿电压为60V,Rds漏源电阻为40mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为25.3ns,典型接通延迟时间为4.9ns,沟道模式为增强。
ZXMN6A09DN8TC是MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC,包括3V@250μA Vgs th Max Id,它们设计为与8-SOP供应商设备包一起工作,Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中,用于40 mOhm@8.2A,10V,提供最大功率功能,如1.25W,封装设计为在磁带和卷轴(TR)交替封装中工作,以及8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,器件提供1407pF@40V输入电容Cis-Vds,器件具有24.2nC@5V栅极电荷Qg-Vgs,FET类型为2 N沟道(双),FET特性为逻辑电平门,漏极到源极电压Vdss为60V,电流连续漏极Id 25°C为4.3A。
ZXMN6A09G,带有ZETEX制造的电路图。ZXMN6A09G采用SOT-223封装,是FET的一部分-单个。