9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD50P08-25L-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD50P08-25L-E3参考价格2.79000美元。Vishay Siliconix SUD50P08-25L-E3封装/规格：MOSFET P-CH 80V 50A TO252。您可以下载SUD50P08-25L-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUD50P106-15L-E3是MOSFET P-CH 60V 50A TO252，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有TO-252，（D-Pak）供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为3W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为4950pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为50A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为15 mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为165nC@10V，Pd功耗为136 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为175 ns，上升时间为70ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为15mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为175ns，典型导通延迟时间为15ns，沟道模式为增强型。
带有用户指南的SUD50P6-15L-T4-E3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于-60 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为175 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为70 ns，器件的漏极-源极电阻为15 mOhms，Pd功耗为136 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为50 A，下降时间为175 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SUD50P08-25L，带有VISHAY制造的电路图。SUD50P08-25L采用DPAK（TO-252）封装，是FET的一部分-单个。
