9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD50P04-08-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD50P04-08-GE3参考价格为1.57000美元。Vishay Siliconix SUD50P04-08-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 40V 50A TO252。您可以下载SUD50P04-08-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUD50NP04-62-T4-E3是MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm@10V，包括卷轴封装，它们设计用于0.050717 oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及2信道数量的信道，该器件也可以用作双公共漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道，器件提供6 W 6.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为56 ns 50 ns，上升时间为75 ns 106 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极漏极-漏极电阻为32m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为40ns 51ns，典型接通延迟时间为12ns 40ns，沟道模式为增强型。
SUD50NP0-47P-T4E3是MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与to-252-4L供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如37 mOhm@5A，10V，Power Max设计用于10.8W，24W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作TO-252-5、DPak（4引线+接线片）、TO-252AD封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有640pF@20V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V，FET类型为N和P沟道，公共漏极，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
SUD50NP04-77P-E3，带有VISHAY制造的电路图。SUD50NP04-77P-E3采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
