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IXFH50N60P3
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IXFH50N60P3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1040W（Tc） 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 78.07846 78.07846
10+ 70.55308 705.53089
100+ 58.41109 5841.10910
500+ 50.86370 25431.85000
1000+ 44.74808 44748.08500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥78.07846
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥78.08
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规格参数

  • 长（英寸） -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-247AD (IXFH)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 4毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 94 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 145毫欧姆@500毫安，10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6300 pF @ 25 V
  • 最大功耗 1040W（Tc）
  • 色彩/颜色 灰色

IXFH50N60P3 产品详情

N沟道功率MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3系列

IXYS Q3级HiperFET™ 功率MOSFET既适用于硬开关应用，也适用于谐振模式应用，并且提供了极为坚固的低栅极电荷。该器件包含一个快速本征二极管，可提供各种行业标准封装，包括隔离型，额定值高达1100V和70A。典型应用包括DC-DC转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC斩波器、温度和照明控制。

快速本征整流二极管
低RDS（开启）和QG（栅极电荷）
低固有栅极电阻
行业标准包
低封装电感
高功率密度

特色

  • 超低导通电阻RDS（on）和栅极电荷Qg
  • 快体二极管
  • dv/dt耐用性
  • 雪崩等级
  • 低封装电感
  • 国际标准包
优势：

  • 更高的效率
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用

  • 工业开关模式和谐振模式电源
  • 电动汽车蓄电池充电器
  • 交流和直流电机驱动
  • DC-DC转换器
  • 可再生能源逆变器
  • 功率因数校正（PFC）电路
  • 机器人和伺服控制

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IXFN27N120SKIXFN27N120SK艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: SOT-227B¥341.95904
IXFN130N90SKIXFN130N90SK艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 900V 供应商设备包装: SOT-227B¥1,056.23935
IXFP3N120IXFP3N120艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥61.49222
IXFH50N20IXFH50N20艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥81.33777
IXFH50N30Q3IXFH50N30Q3艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥96.25814
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IXFT50N85XHVIXFT50N85XHV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥138.04967
IXFH16N120PIXFH16N120P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥150.86961
IXFT170N25X3HVIXFT170N25X3HV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥158.98166
IXFN180N10IXFN180N10艾赛斯.力特 (IXYS)¥68.49538
IXFH50N60P3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFH50N60P3 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFH50N60P3价格参考￥78.078462，你可以下载 IXFH50N60P3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFH50N60P3规格参数、现货库存、封装信息等信息！

艾赛斯.力特 (IXYS)

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