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IXFP7N80P是MOSFET 7安培800V 1.44 Rds，包括IXFP7N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Polar HiperFET，以及to-220-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为200 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.44欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型导通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为32nC，正向跨导最小值为5S，并且信道模式是增强。
IXFP8N50P3是MOSFET Polar3 HiPerFET功率MOSFET，包括500 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.012346盎司单位重量下工作，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供HyperFET等商品名功能，技术设计用于Si，以及IXFP8N50系列，该器件也可以用作800m欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，设备采用TO-220-3包装盒，设备具有安装式通孔，Id连续漏电流为8A。
IXFQ10N80P是MOSFET，包括1个通道数的通道，它们设计用于管封装，系列如数据表注释所示，用于IXFQ10N60，提供Si等技术特性，商品名设计用于HyperFET PolarHV以及N通道晶体管极性，该器件也可作为1个N通道晶体管类型。此外，单位重量为0.194007盎司。
