9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH100N30X3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH100N30X3参考价格为13.44000美元。IXYS IXFH100N30X3封装/规格：MOSFET N-CH 300V 100A TO247。您可以下载IXFH100N30X3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFH100N30X3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFG55N50是MOSFET 48安培500V 0.1 Rds，包括IXFG55N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.264555盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3封装盒，该器件也可作为硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为400 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为45 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为48A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-电源电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为45ns，沟道模式为增强。
IXFE55N50是MOSFET 52安培500V 0.08 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于45 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如120 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作HyperFET商品名。此外，该技术为Si，器件为IXFE55N50系列，器件的上升时间为60 ns，漏极电阻Rds为90 mOhms，Pd功耗为500 W，封装为管，封装外壳为ISOPLUS-27-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-40 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为47 A，下降时间为45 ns，配置为单双源，通道模式为增强型。
IXFE73N30Q是MOSFET 66 Amps 300V 0.046 Rds，包括增强通道模式，它们设计用于单双源配置，下降时间显示在数据表注释中，用于12 ns，提供Id连续漏极电流功能，如66 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用ISOPLUS-27-4封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为400 W，漏极电阻Rds为46 mOhms，上升时间为36 ns，系列为IXFE73N30Q，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，并且晶体管类型是1N沟道，并且典型关断延迟时间是82ns，并且典型接通延迟时间是37ns，并且Vds漏极-源极击穿电压是300V，并且Vgs栅极-源极电压是20V。
IXFE80N50是MOSFET 72安培500V 0.055 Rds，包括管封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，配置如数据表说明所示，用于单双源，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道，以及IXFE80N40系列，该装置也可用作ISOPLUS-27-4包装箱。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有72A的Id连续漏极电流，上升时间为70ns，典型接通延迟时间为61ns，Pd功耗为580W，Rds接通漏极-源极电阻为55mOhm，Vds漏极-漏极-电源击穿电压为500V，下降时间为27ns，Vgs栅源电压为20V，典型关断延迟时间为102ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃。
