9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH40N85X，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH40N85X参考价格为13.98000美元。IXYS IXFH40N85X封装/规格：MOSFET N-CH 850V 40A TO247。您可以下载IXFH40N85X英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFH36N60P是MOSFET N-CH 600V 36A TO-247，包括IXFH36N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及TO-247-3封装盒，该器件也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为650 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为36A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-电源电阻为190mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为39S，沟道模式为增强。
IXFH400N075T2是MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于75 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为35 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchT2 HiperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH400N075系列，上升时间为20ns，漏极源极电阻Rds为2.3mOhms，Qg栅极电荷为420nC，Pd功耗为1kW，封装为管，封装外壳为TO-247-3，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为400 A，正向跨导最小值为80 S，下降时间为44 ns，信道模式为增强。
IXFH36N55Q是MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了15 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如36 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为500W，漏极-源极电阻Rds为160mOhms，上升时间为18ns，系列为IXFH36N55，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为54ns，典型接通延迟时间为17ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为550V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFH36N55Q2是MOSFET N-CH 550V 36A TO-247，包括管封装，它们设计为与TO-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFH36N65系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有8 ns的下降时间，Pd功耗为560 W，Vds漏极-源极击穿电压为550 V，典型关断延迟时间为42 ns，Id连续漏极电流为36 a，Vgs栅极-源极电压为30 V，Rds漏极源极电阻为180 mOhm，典型的开启延迟时间为17ns，上升时间为13ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281oz，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
