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IXFA22N65X2
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IXFA22N65X2

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 390W (Tc) 供应商设备包装: TO-263HV 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 41.71910 41.71910
10+ 37.46752 374.67522
100+ 30.69758 3069.75830
500+ 26.13238 13066.19150
1000+ 22.03934 22039.34800
2000+ 21.46686 42933.73800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥41.71910
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥41.72
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规格参数

  • 长（英寸） -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 22A（Tc）
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V
  • 最大功耗 390W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-263HV
  • 导通电阻 Rds(ON) 160毫欧姆@11A，10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.5V @ 1.5毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2310 pF@25 V

IXFA22N65X2 产品详情

N沟道功率MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2系列

与前几代功率MOSFET相比，IXYS X2级HiPerFET功率MOSFET系列提供了显著降低的导通电阻和栅极电荷，从而降低了损耗并提高了操作效率。这些坚固的器件结合了增强型高速本征二极管，适用于硬开关和谐振模式应用。X2级功率MOSFET可用于各种行业标准封装，包括隔离型，650V时的额定值高达120A。典型应用包括DC-DC转换器、交流和直流电机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、太阳能逆变器、温度和照明控制。

极低RDS（开启）和QG（栅极电荷）
快速本征整流二极管
低固有栅极电阻
低封装电感
行业标准包

特色

  • 超低导通电阻RDS（on）和栅极电荷Qg
  • 快体二极管
  • dv/dt耐用性
  • 雪崩等级
  • 低封装电感
  • 国际标准包
优势：

  • 更高的效率
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用

  • 工业开关模式和谐振模式电源
  • 电动汽车蓄电池充电器
  • 交流和直流电机驱动
  • DC-DC转换器
  • 可再生能源逆变器
  • 功率因数校正（PFC）电路
  • 机器人和伺服控制

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IXFN27N120SKIXFN27N120SK艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: SOT-227B¥341.95904
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IXFP3N120IXFP3N120艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥61.49222
IXFH50N20IXFH50N20艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥81.33777
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IXFT170N25X3HVIXFT170N25X3HV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥158.98166
IXFN180N10IXFN180N10艾赛斯.力特 (IXYS)¥68.49538
IXFA22N65X2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFA22N65X2 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFA22N65X2价格参考￥41.719104，你可以下载 IXFA22N65X2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFA22N65X2规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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