9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH70N65X3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH70N65X3参考价格为14.13000美元。IXYS IXFH70N65X3封装/规格：MOSFET 70A 650V X3 TO247。您可以下载IXFH70N65X3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH70N20Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A，包括IXFH70N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为690 W，其最大工作温度范围为+150 C，下降时间为9 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为70 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为67nC，正向跨导最小值为32S，沟道模式为增强。
IXFH70N30Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于300 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFH70N30，器件的上升时间为250 ns，器件的Rds漏极-源极电阻为54 mOhms，Qg栅极电荷为98 nC，Pd功耗为830 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为70 a，并且配置是单一的。
IXFH70N10，电路图由IXYS制造。IXFH70N10采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
IXFH70N15是由IXYS制造的MOSFET N-CH 150V 70A TO-247。IXFH70N15在TO-247封装中提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 150V 70A TO-247、N沟道150V 70V（Tc）300W（Tc）通孔TO-247AD（IXFH）。
