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SUD50N03-11-E3是MOSFET N-CH 30V 50A TO252，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在to-252-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有7.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为50 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强型。
SUD50N03-11是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 50A TO252。SUD50N03-11提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 50A TO252。
SUD50N03-12P是VISHYA制造的MOSFET N-CH 30V TO252。SUD50N03-12P有TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单，支持MOSFET N-CH 30V TO252。
SUD50N03-12P-E3是30000VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V TO252。SUD50N03-12P-E3提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V TO252、N沟道30V 6.5W（Ta）、46.8W（Tc）表面安装TO-252（D-Pak）。
