9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQD50P08-28_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQD50P08-28_GE3参考价格$2.89000。Vishay Siliconix SQD50P08-28_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA。您可以下载SQD50P08-28_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SQD50P08-28_GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SQD50N10-8M9L-GE3是MOSFET 100V 50A 45瓦N-CH Automotive，其中包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为136 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为120 ns，上升时间为12 ns，Id连续漏电流为50 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.99mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为95ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为46nC。
SQD50P8-25L_GE3，带有用户指南，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-80 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管极性显示在数据表注释中，用于P沟道，提供TrenchFET等商品名功能，技术设计用于Si，以及SQ系列，该器件也可以用作31毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为136 W，设备采用卷筒包装，设备具有TO-252-2封装外壳，Id连续漏电流为-50 a。
SQD50P03-07_GE3，带有电路图，其最大工作温度范围为+175 C，它们设计用于卷筒包装，系列如数据表注释所示，用于SQ系列，提供Si等技术特性，商品名设计用于TrenchFET，以及P沟道晶体管极性，该器件还可以用作-30 V Vds漏极-源极击穿电压。
SQD50P03-07-GE3，带有VIS制造的EDA/CAD模型。SQD50P03-07-GE3采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
