9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMP6A16KTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMP6A16KTC参考价格为0.97000美元。Diodes Incorporated ZXMP6A16KTC封装/规格：MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3。您可以下载ZXMP6A16KTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMP6A16DN8QTA带有引脚细节，包括ZXMN6系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），功率最大值为1.81W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1021pF@30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.9A，最大Id Vgs为85mOhm@2.9A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA（最小），栅极电荷Qg-Vgs为24.2nC@10V，Pd功耗为2.15 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为4.1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-3.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Vgs第h栅极-源极端电压为-1 V，Rds漏极-源极电阻为125mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为3.5ns，Qg栅极电荷为24.2nC，正向跨导最小值为7.2S，沟道模式为增强。
ZXMP6A16DN8TA是MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC，包括1V@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-60 V，提供单位重量功能，如0.002610盎司，典型开启延迟时间设计为3.5 ns，该器件还可以用作2P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有8-SO供应商器件封装，系列为ZXMC6A，上升时间为4.1ns，Rds On Max Id Vgs为85mOhm@2.9A，10V，Rds On漏极-源极电阻为125mOhm，功率最大值为1.81W，Pd功耗为2.15W，包装是Digi-ReelR替代包装，封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为1021pF@30V，Id连续漏极电流为-3.9 A，栅极电荷Qg Vgs为24.2nC@10V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为10 ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为2.9A，配置为双双漏极，通道模式为增强型。
ZXMP6A16DN8TC是MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC，包括2.9A电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于24.2nC@10V，除了1021pF@30V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），最大功率为1.25W，最大Id Vgs的Rds为85mOhm@2.9A，10V，系列为ZXMP6A，供应商器件封装为8-SO，技术为Si，Vgs最大Id为1V@250μa（最小）。
