9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN10A25KTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN10A25KTC参考价格为1.44000美元。Diodes Incorporated ZXMN10A25KTC封装/规格：MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3。您可以下载ZXMN10A25KTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN10A11GTA是MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223，包括ZXMN10A系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为274pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.7A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为350 mOhm@2.6A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.4nC@10V，Pd功耗为3.9 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为3.5ns，上升时间为1.7ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.4A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.4ns，典型开启延迟时间为2.7ns，信道模式为增强。
ZXMN10A11KTC是MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK，包括4 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为2.7 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有ZXMN10A系列，上升时间为1.7ns，Rds漏极-源极电阻为350mOhm，Qg栅极电荷为5.4nC，Pd功耗为8.5W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为3.5 A，正向跨导最小值为4 S，下降时间为3.5 ns，配置为单双漏极，通道模式为增强型。
ZXMN10A25GTA是MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223，包括增强型沟道模式，它们设计用于单双漏极配置，下降时间显示在数据表注释中，用于9.4 ns，提供Id连续漏极电流功能，如4 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SOT-223-3封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为3.9W，Rds漏极-源极电阻为125mOhm，上升时间为3.7ns，系列为ZXMN10A，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为4.9ns，单位重量为0.000282盎司，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
