9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVN2110GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN2110GTA参考价格为0.95000美元。Diodes Incorporated ZVN2110GTA封装/规格：MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223。您可以下载ZVN2110GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN2110A是MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3，包括ZVN2110系列，它们设计用于卷盘包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-92-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有700 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为8纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为320 mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
ZVN2110ATZ是MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为13 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVN2110系列，该器件的上升时间为8 ns，漏极电阻Rds为4欧姆，Pd功耗为700 mW，封装为散装，封装外壳为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为320 mA，下降时间为8 ns，配置为单一，通道模式为增强。
ZVN2110G，带有ZETEX制造的电路图。ZVN2110G在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
