9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN4A06GTA,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN4A06GTA参考价格为1.02000美元。Diodes Incorporated ZXMN4A06GTA封装/规格:MOSFET N-CH 40V 5A SOT223。您可以下载ZXMN4A06GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN3G32DN8TA是MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC,包括ZXMN3系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.002610盎司,提供SMD/SMT等安装样式功能,封装外壳设计用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,器件提供2通道数量的通道,器件具有8-SO供应商器件封装,配置为双通道,FET类型为2 N通道(双通道),功率最大值为1.8W,晶体管类型为2 N沟道,漏极至源极电压Vdss为30V,输入电容Cis-Vds为472pF@15V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为5.5A,最大Id Vgs上的Rds为28mOhm@6A,10V,Vgs最大Id为3V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为10.5nC@10V,Pd功耗为2.1W,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,下降时间为9.7ns,上升时间为3.1ns,Vgs栅源电压为20V,Id连续漏电流为7.1A,Vds漏源击穿电压为30V,Rds漏源电阻为28mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为14ns,典型接通延迟时间为2.5ns,沟道模式为增强。
ZXMN3F31DN8TC,带有10ZETEX制造的用户指南。ZXMN3F31DN8TC采用SOP-8封装,是IC芯片的一部分。
ZXMN3G32DN8TC,电路图由10ZETEX制造。ZXMN3G32DN8TC采用SOP-8封装,是IC芯片的一部分。