9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMN2F34FHTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN2F34FHTA参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated ZXMN2F34FHTA封装/规格：MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3。您可以下载ZXMN2F34FHTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN2F30FHTA是MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3，包括ZXMN2F30系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道、金属氧化物，最大功率为960mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为452pF@10V，FET的特点是逻辑电平门，2.5V驱动，25°C的电流连续漏极Id为4.1A（Ta），最大Id Vgs的Rds为45mOhm@2.5A，4.5V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为4.8nC@4.5V，Pd功耗为1.4W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5.6ns，上升时间为5.6s，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为4.9A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19.4ns，典型导通延迟时间为2.9ns，并且信道模式是增强。
ZXMN2F30FHTA/KNC和用户指南ZXMN2F30 FHTA/KNCSOT23-3封装提供，是IC芯片的一部分。
ZXMN2F34FH，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN2F34FH采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
