9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQD19P06-60L_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQD19P06-60L_GE3价格参考1.68000美元。Vishay Siliconix SQD19P06-60L_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 20A TO252。您可以下载SQD19P06-60L_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQD15N06-42L-GE3是MOSFET N-CH 60V 15A TO252，包括SQ系列系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为42mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为9.5nC，沟道模式为增强型。
SQD100N04-3m6L_GE3，带有用户指南，包括TrenchFET商品名，它们设计用于使用Si技术，系列如数据表注释所示，用于SQ系列，提供卷盘等包装功能。
SQD150M60，电路图由SANREX制造。SQD150M60在模块包中提供，是模块的一部分。
