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SUD23N06-31-GE3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21.4A(Tc) 最大功耗: 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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数量 单价 合计
1+ 7.38775 7.38775
10+ 6.58379 65.83796
100+ 5.13087 513.08700
500+ 4.23854 2119.27250
1000+ 3.34622 3346.22000
2000+ 3.34622 6692.44000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.38776
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.39
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规格参数

  • 宽(英寸) thirty-six
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 670 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 31毫欧姆 @ 15A, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 21.4A(Tc)
  • 最大功耗 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)

SUD23N06-31-GE3 产品详情

SUD23N06-31-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SUD23N06-31-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SUD23N06-31-GE3价格参考¥7.387758,你可以下载 SUD23N06-31-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SUD23N06-31-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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