9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQD25N15-52_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQD25N15-52_GE3参考价格$4.04000。Vishay Siliconix SQD25N15-52_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 25A TO252。您可以下载SQD25N15-52_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQD23N06-31L-GE3是MOSFET N-CH 60V 23A TO252，包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为3 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为23A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为31mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为16nC，沟道模式为增强型。
SQD25N06-22L-GE3是MOSFET N-CH 60V 25A TO252，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于60 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为SQ系列，该器件提供22 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有33 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为62 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，并且Id连续漏极电流为25A，并且配置为单一。
SQD200M60，电路图由SANREX制造。SQD200M60在模块包中提供，是模块的一部分。
