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ZXMP3A16GTA

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.28368 2.28368
100+ 2.05553 205.55350
1000+ 1.94616 1946.16700
  • 库存: 10114
  • 单价: ¥2.28369
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.28
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 SOT-223-3
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 最大功耗 2W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29.6 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.4A (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1022 pF@15 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 4.2A, 10V
  • 材质 -

ZXMP3A16GTA 产品详情

Zetex的新一代沟槽MOSFET采用了一种独特的结构,将低导通电阻和快速开关速度的优点结合在一起。这使其成为高效、低压、电源管理应用的理想选择。

ZXMP3A16GTA所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ZXMP3A16GTA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXMP3A16GTA价格参考¥2.283686,你可以下载 ZXMP3A16GTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXMP3A16GTA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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