9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVNL110GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVNL110GTA价格参考1.03000美元。Diodes Incorporated ZVNL110GTA封装/规格：MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223。您可以下载ZVNL110GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVNL110ASTZ是MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3，包括ZVNL110系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于E-Line-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，器件提供1通道通道数，器件具有供应商器件封装的E线（TO-92兼容），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为700mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为75pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为320mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为3 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为1.5V@1mA，Pd功耗为700mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为320mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型导通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
ZVNL110A是MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为15 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVNL110系列，该器件的上升时间为12 ns，漏极电阻Rds为4.5欧姆，Pd功耗为700 mW，封装为卷轴式，封装外壳为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为320 mA，下降时间为12 ns，配置为单一，通道模式为增强。
ZV-NJ-2S为SPDT 15A 125V开关卡扣式SPDT，包括螺旋弹簧执行器类型，它们设计用于SPDT电路，额定电流如数据表注释所示，适用于15A（AC）、500mA（DC），提供防护等级，如IP65-防尘、防水，安装类型设计用于底盘安装，以及150gf操作力扭矩，该装置也可以用作散装包装。此外，预行程为15°，该设备为ZV系列，该设备具有开关功能，终端类型为螺旋端子，额定交流电压为125V，额定直流电压为125V。
