9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD08P106-155L-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD08P106-155L-GE3参考价格为1.05000美元。Vishay Siliconix SUD08P106-155L-GE3封装/规格:MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252。您可以下载SUD08P106-155L-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUD06N10-225L-GE3是MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK,包括功率MOSFET系列,它们设计用于卷盘封装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.050717盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,商品名设计用于TrenchFET,以及to-252-3封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件为单配置,该器件具有1个晶体管型N信道,Pd功耗为16.7W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为9 ns,上升时间为8 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为6.5A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Vgs栅极-源极阈值电压为3V,Rds导通漏极-漏极电阻为200mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为8ns,典型接通延迟时间为7ns,Qg栅极电荷为2.7nC,沟道模式为增强。
SUD06N10-22L,带有VISHAY制造的用户指南。SUD06N10-22L采用TO-252封装,是IC芯片的一部分。
SUD08P106-155L,带有VISHAY制造的电路图。SUD08P106-155L采用TO-252封装,是FET的一部分-单个。
SUD08P106-155L-E3是Vishay制造的MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK。SUD08P106-155L-E3提供TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH 60V 8.4A DPak、P沟道60V 8.4B(Tc)2W(Ta)、25W(Tc)表面安装TO-252、(D-Pak)、Trans MOSFET P-CH60V 8.4C 3引脚(2+Tab)DPak。