9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVN4210GTA,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4210GTA价格参考1.03000美元。Diodes Incorporated ZVN4210GTA封装/规格:MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223。您可以下载ZVN4210GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN4210A是MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3,包括ZVN4210系列,它们设计用于卷盘包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.016000盎司,提供安装类型功能,如通孔,封装盒设计用于to-92-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有700 mW的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为8 ns,上升时间为8纳秒,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为450 mA,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Rds导通漏极-漏极电阻为1.8欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为20ns,典型接通延迟时间为4ns,沟道模式为增强。
ZVN4210ATZ是MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.016000盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如4 ns,典型的关闭延迟时间设计为20 ns,以及1 N沟道晶体管类型,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,该器件为ZVN4210系列,该器件的上升时间为8 ns,漏极电阻Rds为1.8欧姆,Pd功耗为700 mW,封装为散装,封装外壳为TO-92-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,其最低工作温度范围为-55℃,它的最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏电流为450 mA,下降时间为8 ns,配置为单一,通道模式为增强。
ZVN4210G,带有ZETEX制造的电路图。ZVN4210G采用SOT-223封装,是FET的一部分-单个。