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ZVN4210GTA

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.46018 7.46018
10+ 6.66346 66.63468
100+ 5.19533 519.53320
500+ 4.29156 2145.78150
1000+ 3.38808 3388.08400
2000+ 3.16217 6324.35600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.46019
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.46
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 SOT-223-3
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 800毫安 (Ta)
  • 最大功耗 2W(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@1毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 100 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@1.5A,10V

ZVN4210GTA 产品详情

ZVN4210GTA所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ZVN4210GTA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZVN4210GTA价格参考¥7.460187,你可以下载 ZVN4210GTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZVN4210GTA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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