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IXFH56N30X3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 320W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 77.86117 77.86117
10+ 70.31407 703.14073
100+ 58.21553 5821.55330
500+ 50.69320 25346.60100
1000+ 44.59815 44598.15700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥77.86118
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥77.86
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规格参数

  • 宽(英寸) forty-eight
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 300伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 56 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 TO-247 (IXTH)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 56A (Tc)
  • 最大功耗 320W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3750 pF @ 25 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 1.5毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 27毫欧姆@28A,10V

IXFH56N30X3 产品详情

IXFH56N30X3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IXFH56N30X3 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IXFH56N30X3价格参考¥77.861175,你可以下载 IXFH56N30X3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IXFH56N30X3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

艾赛斯.力特 (IXYS)

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