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IXFH90N20X3
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IXFH90N20X3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 390W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 67.57625 67.57625
10+ 61.02143 610.21433
100+ 50.51777 5051.77790
500+ 43.99018 21995.09400
1000+ 38.70098 38700.98800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥67.57626
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥67.58
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规格参数

  • 宽（英寸） thirty-six
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 包装/外壳 至247-3
  • 供应商设备包装 TO-247 (IXTH)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 90A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 78 nC @ 10 V
  • 最大功耗 390W (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 1.5毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 12.8欧姆@45A，10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5420 pF @ 25 V

IXFH90N20X3 产品详情

这些超结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，提供了同类最佳的品质因数（导通电阻乘以栅极电荷），转化为最低的传导和开关损耗。它们具有业界最低的导通电阻。由于反向恢复电荷和时间较低，体二极管能够在高速切换期间去除所有剩余能量，以避免器件故障并实现高效率。此外，这些新器件具有雪崩能力，并具有优异的dv/dt性能。它们对MOSFET结构中固有的寄生双极晶体管的电压尖峰和意外导通引起的器件故障具有鲁棒性。因此，这些坚固的器件需要更少的缓冲器，并且可以用于硬开关和软开关功率转换器。

特色

  • 最低导通电阻RDS（on）和栅极电荷Qg
  • 快速软恢复体二极管
  • dv/dt耐用性
  • 卓越的雪崩能力
  • 国际标准包

应用

  • 轻型电动汽车用蓄电池充电器
  • 开关电源中的同步整流
  • 电机控制
  • DC-DC转换器
  • 不间断电源
  • 电动叉车
  • D类音频放大器
  • 电信系统

 

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IXFN27N120SKIXFN27N120SK艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: SOT-227B¥341.95904
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IXFP3N120IXFP3N120艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥61.49222
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IXFH50N30Q3IXFH50N30Q3艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥96.25814
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IXFT50N85XHVIXFT50N85XHV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥138.04967
IXFH16N120PIXFH16N120P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥150.86961
IXFT170N25X3HVIXFT170N25X3HV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥158.98166
IXFN180N10IXFN180N10艾赛斯.力特 (IXYS)¥68.49538
IXFH90N20X3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFH90N20X3 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFH90N20X3价格参考￥67.576257，你可以下载 IXFH90N20X3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFH90N20X3规格参数、现货库存、封装信息等信息！

艾赛斯.力特 (IXYS)

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