9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT80N65X2HV,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT80N65X2HV参考价格为15.75000美元。IXYS IXFT80N65X2HV封装/规格:MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV。您可以下载IXFT80N65X2HV英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFT74N20是MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds,包括IXFT74N2 0系列,它们设计用于管式封装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.158733盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,商品名设计用于HyperFET,以及to-268-2封装盒,该器件也可以用作硅技术。此外,信道数为1信道,该器件为单配置,该器件具有1个晶体管型N信道,Pd功耗为360 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为26 ns,上升时间为55 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为74A,Vds漏极-源极击穿电压为200V,Rds导通漏极-电源电阻为30mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为120ns,典型接通延迟时间为40ns,沟道模式为增强。
IXFT7N90Q是MOSFET 7安培900V 1.5W Rds,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.158733盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如15 ns,典型的关闭延迟时间设计为42 ns,以及1 N沟道晶体管类型,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,商品名为HyperFET,该器件采用Si技术,该器件具有IXFT7N90系列,上升时间为15纳秒,Rds漏极源极电阻为1.5欧姆,Pd功耗为180 W,封装为Tube,封装盒为TO-268-2,通道数为1通道,安装样式为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏电流为7 A,下降时间为13 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
IXFT70N30Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A,包括单一配置,它们设计为以70A Id连续漏极电流运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供信道数功能,如1信道,封装外壳设计为在to-268-2中工作,该器件也可以用作830W Pd功率耗散。此外,Qg栅极电荷为98 nC,器件提供54 mOhms Rds漏极-源极电阻,器件具有250 ns的上升时间,系列为IXFT70N30,技术为Si,商品名为HyperFET,晶体管极性为N沟道,晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.229281 oz,Vds漏极源极击穿电压为300 V,Vgs栅极-源极电压为30V。