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IXFT80N65X2HV

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 114.07567 114.07567
10+ 104.84097 1048.40978
100+ 88.54735 8854.73500
500+ 78.76900 39384.50000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥114.07568
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥114.08
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规格参数

  • 宽(英寸) forty-eight
  • 长(英寸) ninety-six
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 包装/外壳 至268-3,DPak(2根引线+接线片),TO-268AA
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大功耗 890W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-268HV (IXFT)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 4毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 140 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8300 pF @ 25 V
  • 材质 -

IXFT80N65X2HV 产品详情

IXFT80N65X2HV所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IXFT80N65X2HV 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IXFT80N65X2HV价格参考¥114.075675,你可以下载 IXFT80N65X2HV中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IXFT80N65X2HV规格参数、现货库存、封装信息等信息!

艾赛斯.力特 (IXYS)

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