9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH180N20X3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH180N20X3参考价格16.97000美元。IXYS IXFH180N20X3封装/规格：MOSFET N-CH 200V 180A TO247。您可以下载IXFH180N20X3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH170N10P是MOSFET N-CH 100V 170A TO-247，包括IXFH170N0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT HiPerFET，以及TO-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为714W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为170A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为9mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为35ns，Qg栅极电荷为198nC，正向跨导最小值为45S，并且信道模式是增强。
IXFH16N80P是MOSFET N-CH 800V 16A TO-247，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为27 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHV HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFH16N80，上升时间为32ns，漏极电阻Rds为600mOhm，Qg栅极电荷为71nC，Pd功耗为460W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为16 A，正向跨导最小值为9 S，下降时间为29 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH16N90Q是MOSFET N-CH 900V 16A TO-247，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于14 ns，提供Id连续漏电流功能，例如16 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为360W，漏极电阻Rds为650mOhms，上升时间为24ns，系列为IXFH16N90，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为21ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFH17N80Q是MOSFET 17 Amps 800V 0.60 Rds，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFH17N60系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有800V的Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为600mOhms，典型关断延迟时间为53ns，Pd功耗为400W，上升时间为27ns，Vgs栅极-源极电压为20V，典型接通延迟时间为18ns，Id连续漏极电流为17A，下降时间为16ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281oz，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
