9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A08E6TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A08E6TA参考价格为0.91000美元。Diodes Incorporated ZXMN6A08E6TA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26。您可以下载ZXMN6A08E6TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN6A07ZTA是MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89，包括ZXMN6A07系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004603盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计为在to-243AA以及Si技术中工作，该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在SOT-89-3供应商设备包中提供，该设备具有单双漏极配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 N信道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为166pF@40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.9A（Ta），最大Id Vgs的Rds为250 mOhm@1.8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.2nC@10V，Pd功耗为2.6W，下降时间为2 ns，上升时间为1.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为250m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.9ns，典型接通延迟时间为1.8ns，沟道模式为增强。
ZXMN6A08E6QTA是MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如2.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为12.3 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMN6系列，该器件的上升时间为2.1 ns，漏极-源极电阻Rds为150 mOhms，Qg栅极电荷为5.8 nC，Pd功耗为8.8 W，封装为卷轴式，封装盒为SOT-26-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为2.5 A，正向跨导最小值为6.6 S，下降时间为4.6 ns，配置为单一，信道模式为增强。
ZXMN6A07Z-7-88，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN6A07Z-7-88采用SOT89封装，是IC芯片的一部分。
