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ZXMN20B28KTC

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 2.2W(Ta) 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.93917 5.93917
10+ 5.24386 52.43860
100+ 4.02125 402.12580
500+ 3.17890 1589.45450
1000+ 2.54312 2543.12700
2500+ 2.30469 5761.72750
5000+ 2.16743 10837.19000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.93918
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.94
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 TO-252-3
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 最大功耗 2.2W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.5A(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.1 nC @ 5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 750毫欧姆 @ 2.75A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 358 pF @ 25 V
  • 材质

ZXMN20B28KTC 产品详情

ZXMN20B28KTC所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ZXMN20B28KTC 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXMN20B28KTC价格参考¥5.939178,你可以下载 ZXMN20B28KTC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXMN20B28KTC规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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