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ZXMP2120FFTA

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 137毫安(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.07146 2.07146
59+ 1.96210 115.76401
100+ 1.85201 185.20100
  • 库存: 80
  • 单价: ¥2.07147
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.07
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@250A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 100 pF @ 25 V
  • 包装/外壳 SOT-23-3扁平导线
  • 供应商设备包装 SOT-23F
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 137毫安(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 28欧姆@150毫安,10V
  • 材质 -

ZXMP2120FFTA 产品详情

这种200V增强型P沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格,提供了高效的功率处理能力、高阻抗和免于热失控和热引发的二次击穿。

ZXMP2120FFTA所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ZXMP2120FFTA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXMP2120FFTA价格参考¥2.071469,你可以下载 ZXMP2120FFTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXMP2120FFTA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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