9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQD45P03-12_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQD45P03-12_GE3参考价格$1.86000。Vishay Siliconix SQD45P03-12_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 50A TO252。您可以下载SQD45P03-12_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQD45N05-20L-GE3是MOSFET 50V 45A 75W 18mohm@10V，包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Rds导通漏极-电源电阻为18m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SQD40P10-40L，带有VISHAY制造的用户指南。SQD40P10-40L采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
SQD40P10-40L-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQD40P10-40L-GE3采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
