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ZXMN2B14FHTA

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.30132 6.30132
10+ 5.54806 55.48061
100+ 4.25520 425.52040
500+ 3.36374 1681.87400
1000+ 2.69102 2691.02700
3000+ 2.43868 7316.05200
6000+ 2.29346 13760.78400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥6.30132
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.30
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规格参数

  • 长(英寸) ninety-six
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A(Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 55毫欧姆 @ 3.5A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 872 pF @ 10 V

ZXMN2B14FHTA 产品详情

ZXMN2B14FHTA所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ZXMN2B14FHTA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXMN2B14FHTA价格参考¥6.301323,你可以下载 ZXMN2B14FHTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXMN2B14FHTA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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