9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQD50N10-8M9L_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQD50N10-8M9L_GE3参考价格1.84000美元。Vishay Siliconix SQD50N10-8M9L_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA。您可以下载SQD50N10-8M9L_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQD50N10-8m9L_GE3，带有引脚细节，包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，该配置为单一配置，该设备提供136 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为120 ns，上升时间为12 ns，Id连续漏电流为50 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-源极电阻为8.99mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为95ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为46nC。
SQD50N06-07L-GE3是由VIS制造的Trans-MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3引脚（2+Tab）DPAK。SQD50N06-07L-GE3采用TO-252封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3引脚（2+Tab）DPAK。
SQD50N06-09L-GE3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 60V 50A TO252。SQD50N06-09L-GE3可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 50A TO252。
