9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A08GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A08GTA参考价格为0.80000美元。Diodes Incorporated ZXMN6A08GTA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223。您可以下载ZXMN6A08GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN6A08E6TA是MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6，包括ZXMN6A0系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-6，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-26，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为459pF@40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.8A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为80mOhm@4.8A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.8nC@10V，Pd功耗为1.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2.1纳秒，上升时间为2.1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds导通-漏极电阻为150毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.3纳秒，典型开启延迟时间为2.6ns，信道模式为增强。
ZXMN6A08E6QTA是MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如2.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为12.3 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMN6系列，该器件的上升时间为2.1 ns，漏极-源极电阻Rds为150 mOhms，Qg栅极电荷为5.8 nC，Pd功耗为8.8 W，封装为卷轴式，封装盒为SOT-26-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为2.5 A，正向跨导最小值为6.6 S，下降时间为4.6 ns，配置为单一，信道模式为增强。
ZXMN6A08G，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN6A08G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
