9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMP10A17E6QTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMP10A17E6QTA参考价格为0.91000美元。Diodes Incorporated ZXMP10A17E6QTA封装/规格：MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26。您可以下载ZXMP10A17E6QTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMP10A16KTC是MOSFET P-CH 100V 3A DPAK，包括ZXMP10A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的TO-252-3，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.15W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为717pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为235 mOhm@2.1A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为16.5nC@10V，Pd功耗为9.76 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12.1 ns，上升时间为5.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100 V，Vgs第四栅极-源极端电压为-4 V，Rds漏极源极电阻为235 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为4.3ns，Qg栅极电荷为16.5nC，正向跨导最小值为4.7S，信道模式为增强。
ZXMP10A13FTA是MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-100 V，提供单位重量功能，如0.000282 oz，典型开启延迟时间设计为1.6 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，系列为ZXMP10A，上升时间为2.1 ns，Rds On Max Id Vgs为1 Ohm@600mA，10V，Rds On漏极-源极电阻为1.45 Ohm，功率最大值为625mW，Pd功耗为806mW，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为141pF@50V，Id连续漏极电流为-700mA，栅极电荷Qg Vgs为3.5nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为3.3ns，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为600mA（Ta），配置为单一，并且信道模式是增强。
ZXMP10A16K，带有KEXIN制造的电路图。ZXMP10A16K提供TO252封装，是FET的一部分-单个。
