9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A11ZTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A11ZTA参考价格为0.83000美元。Diodes Incorporated ZXMN6A11ZTA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3。您可以下载ZXMN6A11ZTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXMN6A11GTA是MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223，包括ZXMN6A1系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为330pF@40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.1A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为120 mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.7nC@10V，Pd功耗为3.9 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.6 ns，上升时间为3.5ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.4A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8.2ns，典型导通延迟时间为1.95ns，沟道模式为增强型。
ZXMN6A11QTA，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN6A11QTA采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
ZXMN6A11Z，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN6A11Z采用SOT-89封装，是FET的一部分-单个。
