SUD80460E-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 65.2W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 7.38775 | 7.38775 |
10+ | 6.49688 | 64.96881 |
100+ | 4.97876 | 497.87690 |
500+ | 3.93579 | 1967.89600 |
1000+ | 3.14863 | 3148.63300 |
2000+ | 2.95184 | 5903.68800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.38776
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.39
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长(英寸) 7
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
- 漏源电压标 (Vdss) 150伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 TO-252AA
- 漏源电流 (Id) @ 温度 42A (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 560 pF @ 50 V
- 导通电阻 Rds(ON) 44.7毫欧姆 @ 8.3A, 10V
- 最大功耗 65.2W (Tc)
SUD80460E-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SUD80460E-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SUD80460E-GE3价格参考¥7.387758,你可以下载 SUD80460E-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SUD80460E-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...