9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX210N30X3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX210N30X3参考价格为33.62000美元。IXYS IXFX210N30X3封装/规格：MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3。您可以下载IXFX210N30X3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFX180N25T是MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247，包括GigaMOS？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.257500盎司，提供安装式功能，如通孔，商品名设计用于GigaMOS，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备为通孔安装型，该设备具有1个通道数，供应商设备包为PLUS247-3，且FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，功率最大值为1390W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为250V，输入电容Cis-Vds为28000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为180A（Tc），Rds On Max Id Vgs为12.9 mOhm@60A，10V，Vgs th Max Id为5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为345nC@10V，Pd功耗为1.39kW，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为28ns，上升时间为33ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为180A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，第Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-源极电阻为12.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为37ns，Qg栅极电荷为345nC，正向跨导Min为100S，沟道模式为增强。
IXFX200N10P是MOSFET 200安培100V 0.0075 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为150 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFX200N10系列，上升时间为35ns，漏极电阻Rds为7.5mOhms，Pd功耗为830W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为200 A，下降时间为90 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFX20N120是MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75W Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于20 ns，提供Id连续漏电流功能，例如20 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为780 W，漏极电阻Rds为750 mOhms，上升时间为45 ns，系列为IXFX20N120，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFX20N120P是MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFX20N220系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强信道模式提供，该器件具有780W的Pd功耗，典型关断延迟时间为72ns，下降时间为70ns，Rds接通漏极-源极电阻为570mOhm，典型接通延迟时间为49ns，上升时间为45ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为20 A，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.056438 oz，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C。
