起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 252.48749 | 252.48749 |
| 10+ | 232.85923 | 2328.59235 |
| 100+ | 198.84440 | 19884.44040 |
| 500+ | 180.53000 | 90265.00350 |
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使用电荷补偿原理和专有工艺技术开发的这些新器件具有最低的导通电阻、低栅极电荷和优异的dv/dt性能。它们的雪崩能力也增强了器件的耐用性。此外，由于快速软恢复体二极管，超结MOSFET有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXFN27N120SK | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: SOT-227B | ¥341.95904 |
 | IXFN130N90SK | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 900V 供应商设备包装: SOT-227B | ¥1,056.23935 |
 | IXFP3N120 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥61.49222 |
 | IXFH50N20 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥81.33777 |
 | IXFH50N30Q3 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥96.25814 |
 | IXFT120N25X3HV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 520W (Tc) 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥104.73233 |
 | IXFT50N85XHV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥138.04967 |
 | IXFH16N120P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥150.86961 |
 | IXFT170N25X3HV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥158.98166 |
| IXFN180N10 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | ¥68.49538 |
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