9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK52N100X，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK52N100X参考价格为35.54000美元。IXYS IXFK52N100X封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 52A TO264。您可以下载IXFK52N100X英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFK50N85X带有引脚细节，包括管封装，它们设计为通孔安装样式，产品名称显示在数据表注释中，用于HiPerFET，提供to-264P-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作1 N信道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供890 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为50 A，Vds漏极-源极击穿电压为850V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为105mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为69ns，典型接通延迟时间为27ns，Qg栅极电荷为152nC，正向跨导最小值为19S，沟道模式为增强。
IXFK520N075T2是MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于75 V，具有0.264555 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为48 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchT2 GigaMOS HiperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK520N075系列，上升时间为36 ns，漏极源极电阻Rds为2.2 mOhms，Qg栅极电荷为545 nC，Pd功耗为1.25 kW，封装为管，封装外壳为TO-264-3，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为520 A，正向跨导最小值为65 S，下降时间为35 ns，信道模式为增强。
IXFK50N50是MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于45 ns，提供Id连续漏极电流特性，例如50 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为560 W，漏极电阻Rds为100 mOhms，上升时间为60 ns，系列为IXFK50N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为45ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFK50N60BU1，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFK50N60BU1在模块包中提供，是模块的一部分。
