9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN220N20X3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN220N20X3参考价格37.16000美元。IXYS IXFN220N20X3封装/规格：MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B。您可以下载IXFN220N20X3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN210N30P3是MOSFET N沟道：功率MOSFET w/快速二极管，包括IXFN210N20系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.5 kW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为192A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为94ns，典型接通延迟时间为46ns，Qg栅极电荷为268nC，沟道模式为增强型。
IXFN210N20P，带有IXYS制造的用户指南。IXFN210N20P在模块封装中提供，是模块的一部分，N通道200V 188A（Tc）1070W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH 200V 188B 4引脚SOT-227A，MOSFET 188安培200V 0.0105 Rds。
IXFN21N100，电路图由IXYS制造。IXFN21N100在模块包中提供，是模块的一部分。
IXFN21N100Q，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFN21N100Q在模块封装中提供，是模块的一部分，N通道1000V 21A（Tc）520W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 4引脚SOT-227A，MOSFET 21安培1000V 0.5 Rds。
