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IXFK360N15T2是MOSFET N-CH 150V 360A TO264，包括GigaMOS？系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于GigaMOS Trench T2 HiperFet，提供管等封装功能，单位重量设计为0.352740盎司，以及通孔安装样式，该设备也可以用作HiperFet商品名。此外，封装外壳为TO-264-3、TO-264AA，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），设备具有安装型通孔，供应商设备封装为TO-264AB（IXFK），输出数量为1，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，最大功率为1670W，漏极至源极电压Vdss为150V，输入电容Ciss Vds为47500pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为360A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为4 mOhm@60A，10V，Vgs最大Id为5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为715nC@10V，Pd功耗为1670 W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围为-55℃，输出电压为150 V，工作电源电流为100 A，输出电流为360 A，下降时间为265 ns，上升时间为170 ns，驱动器数量为1个驱动器，最大关断延迟时间为115 ns，最大开启延迟时间为50 ns。
IXFK36N60是MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK36N60系列，上升时间为45 ns，漏极电阻Rds为180 mOhms，Pd功耗为500 W，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为36 A，正向跨导最小值为36 S，下降时间为60 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFK36N60P是MOSFET 600V 36A，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于22 ns，提供最小正向跨导特性，如39 S，Id连续漏电流设计为36 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-264-3封装盒，封装为管，Pd功耗为650 W，漏极电阻Rds为190 mOhms，上升时间为25 ns，系列为IXFK36N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为30ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFK38N80Q2是MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds，包括管封装，它们设计为与to-264-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFK38N60系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有800V的Vds漏极-源极击穿电压，Pd功耗为735W，典型关断延迟时间为60ns，Id连续漏极电流为38A，Vgs栅极-源极电压为30V，Rds漏极源极电阻为220mOhms，典型的开启延迟时间为20ns，上升时间为16ns，下降时间为12ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.352740oz，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
