9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQD40052EL_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQD40052EL_GE3参考价格$1.10000。Vishay Siliconix SQD40052EL_GE3包装/规格：汽车N通道40 V（D-S）。您可以下载SQD40052EL_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQD40N06-14L-GE3是MOSFET N-CH 60V 40A TO-252，包括SQ系列系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及TO-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为75W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型导通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为34nC，正向跨导Min为52S。
SQD40N10-25-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 100V 40A TO252。SQD40N10-25-GE3采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 40A TO252。
SQD40P10-40L，带有VISHAY制造的电路图。SQD40P10-40L采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
