ZXMN0545G4TA

Name: ZXMN0545G4TA
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7143984-ZXMN0545G4TA
Price: 9.415770 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 450伏漏源电流 (Id) @ 温度: 140毫安（Ta）最大功耗: 2W（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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500+	5.44043	2720.21600
1000+	4.29511	4295.11200
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
漏源电流 (Id) @ 温度 140毫安（Ta）
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
供应商设备包装 SOT-223-3
包装/外壳至261-4，至261AA
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
最大功耗 2W（Ta）
漏源电压标 (Vdss) 450伏
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 70 pF @ 25 V
导通电阻 Rds(ON) 50欧姆 @ 100毫安, 10V
材质 -

ZXMN0545G4TA 产品详情

这种450V增强型N沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格，提供了高效的功率处理能力、高阻抗，并且没有热失控和热引起的二次击穿。

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ZXMN0545G4TA所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，ZXMN0545G4TA 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXMN0545G4TA价格参考￥9.415770，你可以下载 ZXMN0545G4TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXMN0545G4TA规格参数、现货库存、封装信息等信息！