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SUD17N25-165-E3是MOSFET N-CH 250V 17A TO252，包括卷轴封装，它们设计用于0.050717盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为100 ns，上升时间为130 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds漏极漏极-漏极电阻为131mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为36S，沟道模式为增强。
SUD17N25-165-T4-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SUD17N25-165-T4-E3采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
SUD19N20，带有VISHAY制造的电路图。SUD19N20采用SOT-252封装，是FET的一部分-单个。
SUD19N20-90是VISHAY制造的Trans-MOSFET N-CH 200V 19A 3引脚（2+Tab）DPAK。SUD19N20-90采用TO-252-3封装，是FET的一部分-单体，支持Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3引脚（2+Tab）DPAK。
