9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN3B01FTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN3B01FTC价格参考0.19125美元。Diodes Incorporated ZXMN3B01FTC封装/规格：MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23。您可以下载ZXMN3B01FTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN3B01FTA是MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3，包括ZXMN3系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计为在to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道、金属氧化物，最大功率为625mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为258pF@15V，FET的特点是逻辑电平门，2.5V驱动，25°C的电流连续漏极Id为1.7A（Ta），最大Id Vgs的Rds为150mOhm@1.7A，4.5V，Vgs的最大Id为700mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.93nC@4.5V，Pd功耗为625mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.98ns，上升时间为3.98 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅-源极阈值电压为0.7V，Rds漏极源极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8ns，典型导通延迟时间为2.69ns，Qg栅极电荷为2.93nC，正向跨导最小值为4s，信道模式为增强。
ZXMN3B01F，带有DIODES制造的用户指南。ZXMN3B01F采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
带有电路图的ZXMN3B01FTA/3B1 ZXMN3B01FAT/3B1以SOT23-3封装形式提供，是IC芯片的一部分。
