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T2N7002AK,LM

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.15886 1.15886
10+ 1.04297 10.42978
100+ 0.56929 56.92920
500+ 0.35055 175.27800
1000+ 0.23901 239.01600
3000+ 0.20316 609.48900
6000+ 0.18324 1099.47000
  • 库存: 89950
  • 单价: ¥1.15886
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.16
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 最大功耗 320mW (Ta)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安(Ta)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.9欧姆 @ 100毫安, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.35 nC@4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 17 pF @ 10 V
  • 材质 -

T2N7002AK,LM 产品详情

  • 应用范围:高速开关
  • 极性:N-ch
  • 世代:U-MOSⅦ-H
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:泰国

特色

  • 装配底座:2.1 V
  • 装配底座:4.7Ω
  • 装配底座:4.4Ω
  • 装配底座:3.9Ω
  • 装配底座:11 pF
  • 装配底座:0.27 nC

应用

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T2N7002AK,LM所属分类:分立场效应晶体管 (FET),T2N7002AK,LM 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。T2N7002AK,LM价格参考¥1.158864,你可以下载 T2N7002AK,LM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询T2N7002AK,LM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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