- 应用范围：高速开关
- 特点：高ESD保护
- 极性：N-ch
- 世代：U-MOSⅦ-H
- 内部连接：单个
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：泰国
特色
- 装配底座：2.1 V
- 装配底座：1.75Ω
- 装配底座：1.65Ω
- 装配底座：1.5Ω
- 装配底座：26 pF
- 装配底座：0.39 nC
应用
高速切换
T2N7002BK,LM
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.14040 | 0.14040 |
| 10+ | 0.11438 | 1.14387 |
| 30+ | 0.09993 | 2.99790 |
| 150+ | 0.09125 | 13.68795 |
| 450+ | 0.08373 | 37.68075 |
- 库存: 10020
- 单价: ¥0.14040
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.14
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 最大功耗 320mW (Ta)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 400毫安 (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@100毫安，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 40 pF @ 10 V
T2N7002BK,LM 产品详情
T2N7002BK,LM 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | T2N7002AK,LM | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.15886 |
| T2N7002BK,LM | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.1404 |
 | T2N7002BK-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.05456 |
| T2N7002AK-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09695 |
| T2N7002BK,LM(T | 东芝 (Toshiba) | ¥0.04636 |
T2N7002BK,LM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，T2N7002BK,LM 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。T2N7002BK,LM价格参考￥0.140404，你可以下载 T2N7002BK,LM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询T2N7002BK,LM规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
