9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A08GQTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A08GQTA参考价格为0.42273美元。Diodes Incorporated ZXMN6A08GQTA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223。您可以下载ZXMN6A08GQTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ZXMN6A08GQTA价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ZXMN6A08E6TA是MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6，包括ZXMN6A0系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-6，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-26，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为459pF@40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.8A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为80mOhm@4.8A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.8nC@10V，Pd功耗为1.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2.1纳秒，上升时间为2.1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds导通-漏极电阻为150毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.3纳秒，典型开启延迟时间为2.6ns，信道模式为增强。
ZXMN6A07ZTA是MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89，包括3V@250μA Vgs th Max Id，设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，如0.004603 oz，典型开启延迟时间设计为1.8 ns，以及4.9 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-89-3，系列为ZXMN6A07，上升时间为1.4ns，Rds On Max Id Vgs为250mOhm@1.8A，10V，Rds On漏极-源极电阻为250mOhms，功率最大值为1.5W，Pd功耗为2.6W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-243AA，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Cis-Vds为166pF@40V，Id连续漏极电流为2.2A，栅极电荷Qg-Vgs为3.2nC@10V，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为2 ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为1.9A（Ta），配置为单双漏极，通道模式为增强型。
ZXMN6A08E6QTA是MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6，包括增强型沟道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于4.6 ns，提供最小正向跨导特性，如6.6 S，Id连续漏极电流设计为在2.5 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有SOT-26-6封装盒，封装为卷轴，Pd功耗为8.8 W，Qg栅极电荷为5.8 nC，Rds漏极-源极电阻为150 mOhms，上升时间为2.1 ns，系列为ZXMN6，并且技术是Si，并且晶体管极性是N沟道，并且晶体管类型是1N沟道，典型关断延迟时间是12.3ns，典型接通延迟时间是2.6ns，Vds漏极-源极击穿电压是60V，Vgs栅极-源极电压是20V，并且Vgs栅极源极阈值电压是1V。
ZXMN6A08G，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXMN6A08G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
