9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN50N120SIC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN50N120SIC参考价格为81.11000美元。IXYS IXFN50N120SIC封装/规格：SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B。您可以下载IXFN50N120SIC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN48N60P是MOSFET 600V 48A，包括IXFN48N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-电源电阻为140mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为53S，沟道模式为增强。
IXFN48N50Q是MOSFET 48安培500V 0.1 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如33 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFN48N50系列，上升时间为22ns，漏极电阻Rds为100mOhms，Pd功耗为500W，封装为管，封装盒为SOT-227-4，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为48 A，下降时间为10 ns，配置为单双源，通道模式为增强型。
IXFN48N50U2，电路图由IXYS制造。IXFN48N50U2在模块包中提供，是模块的一部分，N通道500V 48A（Tc）520W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH Si 500V 48A 4引脚SOT-227A。
IXFN48N50U3，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFN48N50U3在模块包中提供，是模块的一部分，N通道500V 48A（Tc）520W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH Si 500V 48A 4引脚SOT-227A。
